目录
一、场效应三极管基础
二、MOSFET
1、N沟道增强型
2、N沟道耗尽型
3、P沟道增强型
4、P沟道耗尽型
三、FET常见参数
四、共源级放大电路
1、静态直流分析
2、动态交流分析
3、截止失真与饱和失真
五、共漏极放大电路
1、静态直流分析
2、动态交流分析
六、共栅极放大电路
七、三种电路比较
FET 有两种主要类型：金属－氧化物－半导体场效应管（Metal-Oxide-Semiconductor Field Effect Transistor, MOSFET）和结型场效应管（Junction Field Effect Transistor, JFET）。
由于 MOSFET 制造工艺的成熟使它的体积可以做得很小，从而可以制造高密度的超大规模集成 (VLSI) 电路，MOSFET 可用在高速或高频电路中，例如微波放大电路。
g为栅极、s为源极、d为漏极
如下图为，在不同VGS下，iD随VDS的变化曲线图。
1、开启电压VTN
其是增强型MOS管的参数；
2、夹断电压VPN
其是耗尽型FET的参数；
3、饱和漏极电流IDSS
其是耗尽型FET的参数
4、直流输入阻抗RGS
当无输入信号的时候，考虑为静态或直流工作状态，已知开启电压VTN、VDD，几乎可以计算所有参数：
IDQ=Kn*(VGSQ-VTN)²
Vgs=VDD*Rg2/(Rg1 + Rg2)
VDSQ=VDD-ID*Rd
当输入vi变化的正弦波时：当vi变大，iD增大，Rd压降增大，VDS降低；当vi变小，iD减小，Rd压降将减小，VDS增大；所以呈现反向的电压放大效果。
因此结合上述内容可知，当vgs降低，即在负半峰，VDS增大，因此偏向Q点的右侧，对应输出vo呈现顶部截止失真。
结合上述内容可知，当vgs增大，即在正半峰，VDS降低，因此偏向Q点的左侧，对应输出vo呈现底部饱和失真。
IDQ=Kn*(VGSQ-VTN)²
Vgs=VDD*Rg2/(Rg1 + Rg2)-IDQ*Rs
VDSQ=VDD-IDQ*Rs
源级跟随器电压增益≤1，输出电压同相，电流增益较高。
简单来说
1、共源级放大电路：反相的高电压增益、输入阻抗大、输出阻抗由Rd决定；
2、共漏极放大电路：同相的低电压增益、输入阻抗高、输出阻抗很低，可用作阻抗变化；
3、共栅极放大电路：同相的高电压增益，输入阻抗很小，输出阻抗由Rd决定，因此可适用于高频50Ω匹配及放大用途。
后续会进行共源-共漏放大电路、共源-共栅放大电路及应用介绍。
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