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goa电路物理结构(goa电路原理)



金融界2024年10月31日消息,国家知识产权局信息显示,西安西电电力系统有限公司申请一项名为“一种双向压接的硅堆结构”的专利,公开号CN A,申请日期为2023年4月。

专利摘要显示,本发明提出一种双向压接的硅堆结构,涉及整流硅堆技术领域,硅堆结构包括平行间隔设置的硅堆顶板、硅堆中板和硅堆底板,硅堆顶板和硅堆中板之间压紧有二极管,硅堆中板和硅堆底板之间压紧有IGBT器件,两个调节组件硅堆对称设置于IGBT器件的两侧,压力调节组件包括螺杆,螺杆依次贯穿第一调节螺母、硅堆顶板、第一限位螺母、硅堆中板、第二限位螺母、硅堆底板和第二调节螺母,第一调节螺母、第一限位螺母、第二限位螺母和第二调节螺母分别与螺杆螺纹配合,第一调节螺母压紧于硅堆顶板,第一限位螺母和第二限位螺母压紧于硅堆中板的两侧,第二调节螺母压紧于硅堆底板。本发明有效解决两种器件压紧力要求不同时的压接问题

本文源自:金融界

作者:情报员

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