金融界2024年10月29日消息，国家知识产权局信息显示，上海韦尔半导体股份有限公司申请一项名为“沟槽栅极型IGBT及其驱动方法”的专利，公开号 CN A，申请日期为2023年5月。
专利摘要显示，本发明的课题在于根据高频使用、低频使用之类的使用条件来减少损耗。本发明的沟槽栅极型IGBT包含：栅极沟槽(120G)，从半导体衬底的正面朝向背面侧延伸，通过被施加电压而在周边所形成的通道区域中流通电流；开关沟槽(120SW)，从半导体衬底的正面朝向背面侧延伸，周边未形成通道区域；及设定端子，用来从外部控制开关沟槽(120SW)的电压；且可通过对设定端子施加的电压来切换第1状态或第2状态，所述第1状态是接通时的电压降相对较小但切断时的能量损耗相对较大，所述第2状态是接通时的电压降相对较大但切断时的能量损耗相对较小。
本文源自：金融界
作者：情报员
到此这篇w25q512芯片手册（w25x10clsnig芯片管脚功能图）的文章就 介绍到这了,更多相关内容请继续浏览下面的相关 推荐文章，希望大家都能在编程的领域有一番成就！版权声明：
本文来自互联网用户投稿，该文观点仅代表作者本人，不代表本站立场。本站仅提供信息存储空间服务，不拥有所有权，不承担相关法律责任。
如若内容造成侵权、违法违规、事实不符，请将相关资料发送至xkadmin@xkablog.com进行投诉反馈，一经查实，立即处理！
转载请注明出处，原文链接：https://www.xkablog.com/cjjbc/41814.html