tp9930芯片封装12（tps63020封装）



FET 类型 N 通道

技术 MOSFET（金属氧化物）

漏源电压（Vdss） 60 V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) 340mA（Ta）

驱动电压（大 Rds On，小 Rds On） 4.5V，10V

不同 Id、Vgs 时导通电阻（大值） 5 欧姆 @ 500mA，10V

不同 Id 时 Vgs(th)（大值） 2.5V @ 250µA

Vgs（大值） ±20V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（大值） 40 pF @ 10 V

FET 功能 -

功率耗散（大值） 350mW（Ta）

工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）

安装类型 表面贴装型

供应商器件封装 SOT-23

封装/外壳 TO-236-3，SC-59，SOT-23-3

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